Gate Driver isolado duplo para MOSFETs e IGBTs.

Aciona dispositivos de até 650 V em configuração de braço, com saídas de +14,6 V e −5 V, proteção contra curto de braço e formato compacto para aplicações de alta densidade de potência.

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Vista superior da placa Gate Driver DRVM02

Vista lateral da placa Gate Driver DRVM02

ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

Dados principais do DRVM02.

ParâmetroEspecificação

Dispositivos compatíveisMOSFETs e IGBTs de até 650 V

Alimentação4,75 a 5,25 Vcc

Tensão de saída em nível alto+14,6 V

Tensão de saída em nível baixo−5 V

Corrente máxima de saída3 A

Potência máxima de saída0,25 W

Imunidade a transientes de modo comum35 kV/µs (mínimo)

Tempo morto com proteção ativada250 ns

Dimensões46 × 47 × 21 mm

A corrente e a potência de saída dependem das condições de carga. O datasheet apresenta as condições de medição e recomendações de projeto.

PROTEÇÃO INTEGRADA

Acionamento com proteção contra curto de braço selecionável.

Proteção contra condução simultânea dos dois canais

Tempo morto mínimo de 250 ns com a proteção ativada

APLICAÇÕES

Para conversão de energia e acionamento.

Fontes chaveadas CC-CC

Fontes chaveadas CA-CC

Microinversores solares

Acionamento de solenoides e motores

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